金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，全国MOCVD学术会议自1989年第一届会议举办以来，已经成功举办了十六届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。本次会议选择在山西太原举行，届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网时域响应、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及半导体产业发展起到有力的推动作用。
名誉主席：曹健林（全国政协教科卫体委员会副主任、国家科学技术部原副部长）
会议主席：李晋闽（半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体研究所研究员）
吴 玲（第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长）
顾问委员会：（按姓氏首字母排序）陈良惠、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、侯洵、黄如、黄维、贾明星、李树深、刘纪美、刘明、罗毅、孙祥祯、、王启明、王圩、王占国、夏建白、许宁生、杨德仁、叶志镇、郑婉华、郑有炓、祝宁华
委 员：（按姓氏首字母排序）毕文刚、蔡树军、曾一平、陈弘、陈弘达、陈敬、陈凯轩、陈堂胜、陈长清、程凯、单崇新、杜国同、杜志游、冯淦、冯志红、高焕芝、顾书林、郭浩中淀积率、郭世平、郭太良、郭伟玲、郭霞、韩仲、郝茂盛、郝智彪、胡晓东、康俊勇、黎大兵、李国强、李晓航、林科闯、刘斌、刘建利、刘俊、刘扬、刘玉怀、龙世兵、陆海、陆卫、骆薇薇、马杰、潘毅、申德振、沈波、唐景庭、王钢、王国宏、王向武、王晓亮、王新强、王英民、徐宸科、徐科、徐现刚、杨辉、云峰、张佰君、张保平、张国义、张进成、张乃千、张韵、赵德刚
委 员：（按姓氏首字母排序）蔡端俊、曹峻松波段双桥结构、陈敦军、陈鹏、陈志涛、戴江南、董志江、耿博、胡卫国、黄凯、黄森、江灏、李金钗、李虞锋、李忠辉、梁庭、刘建平、宁静、孙海定、孙捷、孙钱、孙晓娟、唐宁、涂长峰、汪莱尊龙现金人生就是博、汪连山、汪炼成、王光绪、王江波、王科、王茂俊、王申、谢自力、修向前、许福军、许晟瑞、闫建昌、杨树、杨学林、叶建东、伊晓燕、于彤军、张峰、张纪才、张源涛、张紫辉、赵璐冰、左然
(2)论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确光电对抗、采用法定计量单位；
(3)论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸。相关模板可登录大会官网（网址：）自行下载，并于提交截止日前以电子邮件方式（邮箱：提交至会议组委会秘书组；
1.普通代表（A类票）：2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2.学生代表（B类票）：2300元（与普通代表会议待遇相同，需要提交相关证件）
3.7月20日前，报名缴费可享受优惠：普通代表2500元；学生代表2000元。（享受上述相同待遇及服务）
